FPGA SoC 的 RISC-V 固件开发全攻略（六）：Flash 参数持久化—

FPGA SoC 的 RISC-V 固件开发全攻略（六）：Flash 参数持久化——双备份与循环磨损本文是《FPGA SoC 的 RISC-V 固件开发全攻略》专栏第 6 篇。上一篇：第 5 篇《SPI NOR Flash 驱动与 XIP 优化》｜下一篇：第 7 篇《Bootloader 设计详解》一、为什么要做参数持久化嵌入式设备总有一些"掉电不能丢"的数据：设备序列号、用户配置、校准参数、以及 Bootloader 的启动状态（当前启动哪个分区、失败了几次等）。这些数据不能放 RAM（掉电就没了），通常放在 Flash 里，模拟成一个"小 EEPROM"。但 Flash 有两个天生缺陷：擦写寿命有限：单个扇区擦写次数有上限（典型几万到十万次）；擦写中途断电会损坏数据：擦到一半断电，这个扇区就是垃圾。针对这两个缺陷，参数持久化方案要解决两个问题：掉电安全（双备份）和寿命均衡（循环磨损）。二、双备份：防掉电损坏2.1 单份数据的风险如果参数只存一份，擦写中途断电会导致这份数据损坏。对 Bootloader 来说，环境标志一旦损坏，就无法判断启动

FPGA SoC 的 RISC-V 固件开发全攻略（六）：Flash 参数持久化——双备份与循环磨损

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