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场景分类bandgap带隙基准电压源。按最常见的分类口径主要有以下几类按补偿阶数分一阶带隙基准经典结构输出 ≈ 1.2V用 VBE 的负温度系数 ΔVBEPTAT的正温度系数抵消一阶抵消后仍有约 ±20~50ppm/℃ 的曲率误差二阶 / 高阶补偿带隙基准在一阶基础上做曲率补偿把 ppm 压到个位数常见做法有电阻比例分段、β 补偿、非线性项VBE 的高阶非线性补偿按电路实现形式分电压模式带隙直接把叠加后的电压作为输出结构简单但受运放失调和电源影响大电流模式带隙先产生 PTAT 和 CTAT 电流再经电阻合成电压输出电压可以按电阻比灵活设定1.2V 也能做这是目前主流的低压版本纯 MOS 亚阈值带隙用工作在亚阈值区的 MOSFET 替代 BJT适合标准 CMOS 工艺、无寄生二极管场合但精度和温漂通常逊于 BJT 型按运放 / 失调处理方式分传统运放型带隙斩波稳定chopper带隙内嵌 chopper 调制去失调用于高精度、低温漂场合三管运放如 PTAT-based 自偏置结构其它特殊变体全差分 / 折叠型、分段曲率补偿型、以及无运放全电流镜实现与 LDO、ADC 参考、电荷泵等搭配使用的专用版如你之前关注的低压 DNW、BCD 工艺下的横向 PNP 实现如果要落到具体设计一般先定三件事目标输出电压1.2V 还是可调低压、工艺BJT 可用性、精度 / 温漂指标 —— 这决定了选哪种拓扑。需要我针对某一类比如电流模式低压带隙或曲率补偿具体电路展开讲吗无运放bandgap“无运放带隙” 没有单一定义业界主要有三条实现路线而 “电流模式”Banba 型是其中最主流的一种 —— 它靠电流镜 / 自偏置环路替代运放的钳位作用先分别生成 CTAT 和 PTAT 电流、再电流相加转成电压。无运放带隙的三种实现形态1. Widlar 型分立 / 双极时代的 “三管无运放”1971 年 Bob Widlar 为 LM113 设计的首个带隙基准三个晶体管三个电阻、全电路无运放。关键靠 Q3 这一个晶体管做增益元件完成环路闭合类似 “有源钳位”电流密度比来自电阻比 R2/R1。特点器件最省但环路增益低 → 线性调整率line regulation比运放型差。Carsten Wulff2. 无运放的 Banba 型电流模式最主流传统 Banba 用运放钳位保证两点电压相等去掉运放后改用套叠威尔逊电流镜如 NM9/NM10、PM7~PM10来完成 “A、B 支路电流相等 A、B 电压相等” 的功能输出阻抗高、电流传输精度高。西安电子科技大学学报原理上仍遵循 “电流模式” 本质负温系数电流 ICVEB1/R2正温系数电流 IPVT・lnN/R1电流镜像到输出电阻 RL 相加得到 VREF输出电压可低于 1.2V由电阻比自由设定。由于省掉运放的增益和偏置电流功耗和复杂度下降代价是需要更精细的电流镜匹配来保证支路电压相等。3. Brokaw 型去运放 / 纯 MOS 亚阈值无运放Brokaw 结构去掉运放后靠增加 M4、M5 等镜像管提升电流复制精度、压低 Q1/Q2 集电极电压差、减小厄利效应从而不消耗额外偏置电流。Researching另有纯 MOS 亚阈值无运放基准如哈工大 130nm 那类用亚阈值 NMOS 的 ΔVGS 替代 BJT适合标准 CMOS但温漂 / 精度通常逊于 BJT 型。哈尔滨工业大学计算学部电流模式带隙Banba的关键点核心等式VREF RL·(VT·lnN/R1 VEB1/R2)一阶补偿靠 R1/R2 比值与发射结面积比 N。两个绕不开的后续曲率补偿高阶 T・lnT 项用亚阈值 MOS 或差动电流补偿和分段补偿高温段再叠加一段补偿电流扩展温度范围。实测参考180nm 无运放 Banba 高阶分段补偿-40~160℃ 温度系数可做到约 7.2ppm/℃、低频 PSRR -48.5dB。西安电子科技大学学报取舍一句话追求省功耗、省器件、低压输出→ 选无运放 Banba电流模式追求线性调整率最好→ 还是得回到运放型温漂要求 50ppm 就够 → 不必上曲率补偿省面积。需要的话我可以给你画一张无运放 Banba 电流模式带隙的具体电路 / 电流走向图或者展开讲曲率补偿那一路怎么做。Q:Banba 模型小环路的增益为 31-41dB增益误差如何影响环路输出精度的

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