STM32硬件SPI读写W25Q64JVSSIQ嵌入式存储实践-北京尧图网络

手头一个项目要给设备增加掉电不丢失的数据存储区最早考虑SD卡后来想想MCU这边只存几十KB的配置和日志SD卡属实杀鸡用牛刀——卡片座、文件系统、电源管理一堆事。于是把目光放到了SPI NOR Flash上最终选了W25Q64JVSSIQ这颗芯片8MB容量、SOIC-8小封装、标准三线SPI就能跑成本几块钱折腾坏了也不心疼。这篇文章就是我用STM32的硬件SPI读写W25Q64JVSSIQ的完整记录涉及硬件接线、指令时序、初始化代码、读写流程以及实际调试中踩过的坑从零到能稳定跑通适合正在做同类存储方案的朋友们参考。1. 项目拆解在STM32上挂一颗8MB Flash1.1 W25Q64JVSSIQ 这颗芯片有什么特别的W25Q64JVSSIQ 属于SPI NOR Flash家族里非常成熟的一代容量是64Mbit换算过来就是8MB。这个容量在嵌入式场景里很微妙——比EEPROM大得多可以存字库、图片、日志、升级固件缓冲区又比SD卡和eMMC简单得多不用管文件系统、块设备协议这些东西发指令就能读写特别适合MCU直接操作。芯片供电范围是2.7V到3.6V和绝大多数STM32的3.3V系统直接兼容。SOIC-8封装只有8个引脚手工焊接非常友好原理图设计也不占地方。它支持标准SPI、双线SPI和四线SPI三种模式我项目里用的就是最基础的标准SPI四根信号线加电源地就能跑起来。实际用下来这芯片最让我满意的其实是它的时序宽容度。SPI时钟最高可以到104MHz而STM32的SPI时钟一般也就跑到几十兆远低于Flash上限所以通信速率根本不会成为瓶颈。命令集也不复杂读、写、擦除、状态查询核心指令就那么几个非常适合快速上手。1.2 硬件接线四根线加两个上拉STM32这边我选用了F103系列SPI1挂载在APB2总线上。引脚分配是常规接法PA5做SCKPA6做MISOPA7做MOSIPA4做CS片选。这里有个关键设计片选CS没有接到SPI外设的硬件NSS脚上而是用一个普通GPIO输出口控制。这样做的原因后面章节会详细讲简单说就是Flash操作对片选时序要求很严格用软件GPIO控制最直接可控。W25Q64JVSSIQ引脚引脚名称连接到STM32/电路作用说明1/CSPA4片选低电平有效2DOPA6 (MISO)数据输出到MCU3/WP接10kΩ上拉到3.3V写保护禁用4GNDGND电源地5DIPA7 (MOSI)MCU数据输入到Flash6CLKPA5 (SCK)SPI时钟7/HOLD接10kΩ上拉到3.3V暂停通信禁用8VCC3.3V电源正极并接0.1uF旁路电容两个容易被忽视的引脚WP和HOLD。WP是写保护脚拉低会把状态寄存器锁住导致写使能命令无效HOLD是暂停脚拉低会让Flash忽略时钟线上的后续信号看起来就像芯片“死掉”了。这两个引脚芯片内部有弱上拉但强烈建议外部再接10kΩ上拉到3.3V防止上电瞬间或者信号干扰导致误触发。VCC旁边加0.1uF去耦电容靠近芯片电源引脚放置。接线完成之后不要急着上电先用万用表量一下电源对地阻值排除短路再看一遍MOSI和MISO有没有接反。这两个引脚接反是新手最容易犯的错误而且故障现象极其隐蔽——读ID返回数据全是0xFF程序怎么调试都跑不通。2. SPI通信基础与Flash指令体系2.1 SPI的物理层与数据交换机制SPI是同步串行通信协议主机和从机之间通过时钟线同步数据。W25Q64JVSSIQ支持模式0CPOL0CPHA0和模式3CPOL1CPHA1我们这里用模式0也就是最经典的SPI Mode 0时钟空闲为低电平数据在第一个上升沿采样。SPI是“交换式”通信主机向MOSI线上发出一字节数据的同时从机会在MISO线上回传一字节数据。正因为这个特性主机在读Flash数据时需要不断向MOSI发送任意字节通常发0xFF来产生时钟Flash才能把数据从MISO线上推出来。这个机制初学的时候容易绕晕你以为是“读”数据实际上全程都在“写”时钟。这里必须提一下为什么推荐用STM32的硬件SPI而不是GPIO模拟SPI。硬件SPI有移位寄存器自动处理收发你只需要检查标志位然后读写数据寄存器CPU负载极低。而模拟SPI需要在每个bit上手动拉高拉低时钟、逐位移数据一次8字节的读取要反复操作几十次效率低不说时序还容易受中断影响导致不稳。除非MCU的SPI外设刚好被占用否则不建议模拟。2.2 W25Q64指令集读写之前先弄清这些命令SPI NOR Flash都是“命令驱动”型的MCU先发送命令字节再发送地址后面才是数据。W25Q64JVSSIQ的命令集不大但每个命令都有严格的时序要求。我先整理项目中最常用的几条命令名称命令字节参数说明Write Enable0x06无写使能编程/擦除前必须执行Read Status Register 10x05无返回1字节读状态寄存器检查BUSY和写保护Read Data0x0324位地址从指定地址连续读取数据Page Program0x0224位地址数据页编程一次最多写256字节Sector Erase0x2024位地址4KB扇区擦除Block Erase0xD824位地址64KB块擦除Chip Erase0xC7无整片擦除非常耗时Read JEDEC ID0x9F无返回3字节读取厂商/类型/容量标识每条指令的执行方式都一样CS拉低发送命令字节发送24位地址命令和地址都是高位在前然后传输数据或接收数据最后CS拉高。CS拉高的这个动作非常关键它告诉Flash本次操作结束Flash在CS拉高之后才会真正开始执行擦除或编程操作。2.3 状态寄存器与操作约束W25Q64有个状态寄存器1其中最低两个位是编程时最关心的bit0是BUSY位1表示Flash内部正在执行操作bit1是WEL写使能锁存位1表示已经收到写使能命令。每次执行擦除或页编程之前必须先发0x06写使能命令把WEL位置1否则Flash会直接忽略后续的编程/擦除命令。还有一个重要的物理约束NOR Flash只能把1写成0把0改回1必须通过擦除操作。也就是说你往某个地址写数据之前要先确保该地址所在扇区已经被擦除过否则会得到意想不到的结果。这个特性会直接影响上位机或者应用层的写入策略后面写数据流程时会专门处理。状态寄存器查询命令0x05的使用方式也是CS拉低发命令然后持续读取字节直到BUSY位变0。整个过程CS保持低电平不能中间拉高否则状态读取就断了。这是Flash编程等待最基础的操作几乎所有写操作都要用到它。3. STM32 SPI外设初始化配置3.1 引脚分配与复用配置我用的是STM32F103系列的SPI1引脚分配如下PA4做片选CS普通推挽输出PA5做SCK复用推挽输出PA6做MISO浮空输入PA7做MOSI复用推挽输出。GPIO不仅要配置模式还要注意速度。SPI通信频率相对较高GPIO翻转速度建议配置到50MHz档位避免信号边沿变缓导致时序劣化。MISO引脚配置为浮空输入因为Flash的DO输出是推挽驱动不需要内外上拉MOSI和SCK配置为复用推挽输出。对应代码如下void SPI1_GPIO_Init(void) { GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA, ENABLE); // PA4 - CS片选普通推挽输出默认拉高 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin GPIO_Pin_4; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode GPIO_Mode_Out_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOA, GPIO_InitStructure); GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_4); // PA5 - SCK复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin GPIO_Pin_5; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOA, GPIO_InitStructure); // PA6 - MISO浮空输入 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin GPIO_Pin_6; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode GPIO_Mode_IN_FLOATING; GPIO_Init(GPIOA, GPIO_InitStructure); // PA7 - MOSI复用推挽输出 GPIO_InitStructure.GPIO_Pin GPIO_Pin_7; GPIO_InitStructure.GPIO_Mode GPIO_Mode_AF_PP; GPIO_InitStructure.GPIO_Speed GPIO_Speed_50MHz; GPIO_Init(GPIOA, GPIO_InitStructure); }CS使用普通GPIO输出而不是复用功能这是个有意的设计。SPI外设的硬件NSS信号会在多主机模式下自动控制但在单主机操作Flash时硬件的自动管理反而不灵活。Flash操作命令和数据的边界完全靠CS掌控软件控制GPIO可以随时拉低、拉高配合时序要求做到精准。3.2 SPI模式参数与时钟选择SPI外设需要配置的参数包括工作模式、数据宽度、时钟极性、相位、波特率和帧格式。F103的SPI最大时钟是18MHz而APB2总线是72MHz所以至少需要4分频。我用的是8分频也就是9MHz的SPI时钟留足了余量。关于SPI模式我配置为模式0CPOLLowCPHA1Edge。W25Q64JVSSIQ手册上明确支持模式0和模式3两个模式在数据传输上没有区别只是时钟空闲电平和采样边沿不同。这里选模式0完全出于习惯如果你配置成模式3也没问题但主机和从机的CPOL、CPHA必须严格匹配否则读出来的数据会错位。配置代码void SPI1_Init(void) { SPI_InitTypeDef SPI_InitStructure; RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_SPI1, ENABLE); SPI_InitStructure.SPI_Direction SPI_Direction_2Lines_FullDuplex; SPI_InitStructure.SPI_Mode SPI_Mode_Master; SPI_InitStructure.SPI_DataSize SPI_DataSize_8b; SPI_InitStructure.SPI_CPOL SPI_CPOL_Low; SPI_InitStructure.SPI_CPHA SPI_CPHA_1Edge; SPI_InitStructure.SPI_NSS SPI_NSS_Soft; SPI_InitStructure.SPI_BaudRatePrescaler SPI_BaudRatePrescaler_8; SPI_InitStructure.SPI_FirstBit SPI_FirstBit_MSB; SPI_InitStructure.SPI_CRCPolynomial 7; SPI_Init(SPI1, SPI_InitStructure); SPI_Cmd(SPI1, ENABLE); }NSS配置为软件模式也就是完全不使用硬件片选信号片选完全由GPIO控制。这种情况下我们只需要在初始化后使能SPI外设即可CS引脚的上电默认状态保持高电平防止Flash误选中。3.3 底层读写字节函数硬件SPI收发一字节的标准流程是等发送缓冲区空写入数据等接收缓冲区非空读出数据。整个流程封装成一个函数后续所有Flash操作都基于它。uint8_t SPI_Flash_ReadWriteByte(uint8_t data) { while (SPI_I2S_GetFlagStatus(SPI1, SPI_I2S_FLAG_TXE) RESET); SPI_I2S_SendData(SPI1, data); while (SPI_I2S_GetFlagStatus(SPI1, SPI_I2S_FLAG_RXNE) RESET); return SPI_I2S_ReceiveData(SPI1); }这个函数是全双工的传入data是发送的数据返回值是同时接收到的数据。读Flash的时候传入0xFF实际上就是产生时钟脉冲把Flash输出的数据从MISO线上采回来。理解了这一点后面读数据代码看起来就顺理成章了。注意如果工程里使用HAL库对应的配置思路完全一致只是把结构体初始化换成SPI_InitHandle、HAL_SPI_Init字节收发换成HAL_SPI_TransmitReceive。底层原理没有区别。4. 读写代码实现可以让Flash跑起来了4.1 读ID与Flash连接验证代码写完之后首先要验证硬件连接和SPI通信是否正常最快捷的方式是读取JEDEC ID。这个操作不涉及擦除和编程也不依赖写使能只要电路和时序没问题就能读到固定值。W25Q64JV系列的标准JEDEC ID是3字节厂商ID 0xEF、内存类型0x40、容量0x17。如果这三字节能读出来说明从GPIO配置到SPI外设再到Flash芯片整个链路都是通的。uint32_t SPI_Flash_ReadID(void) { uint32_t id 0; SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x9F); id | (uint32_t)SPI_Flash_ReadWriteByte(0xFF) 16; id | (uint32_t)SPI_Flash_ReadWriteByte(0xFF) 8; id | (uint32_t)SPI_Flash_ReadWriteByte(0xFF); SPI_Flash_CS_HIGH(); return id; }CS操作函数非常简单#define SPI_Flash_CS_LOW() GPIO_ResetBits(GPIOA, GPIO_Pin_4) #define SPI_Flash_CS_HIGH() GPIO_SetBits(GPIOA, GPIO_Pin_4)读取结果如果是0xEF4017硬件连接确认无误可以直接进入后续读写功能开发了。如果返回全0xFF或全0x00问题多半出在引脚配置或接线方向这个我们在第五章单独展开排查。4.2 擦除操作Flash写入的前置条件回到前面说的NOR Flash物理特性只能把1写成0想恢复成1必须擦除。所以一次完整的写入流程是擦除目标扇区检查BUSY等待擦除完成然后执行页编程。扇区擦除命令是4KB粒度命令格式为0x20加上24位地址。地址只需要对齐到扇区起始地址即可如果传入的地址不是4KB对齐Flash也不会报错但它会按地址所在的扇区擦除这点要心里有数。void SPI_Flash_EraseSector(uint32_t addr) { SPI_Flash_WriteEnable(); SPI_Flash_WaitBusy(); SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x20); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 16) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 8) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte(addr 0xFF); SPI_Flash_CS_HIGH(); SPI_Flash_WaitBusy(); }写使能和等待函数是配套的void SPI_Flash_WriteEnable(void) { SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x06); SPI_Flash_CS_HIGH(); } void SPI_Flash_WaitBusy(void) { uint8_t status; SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x05); do { status SPI_Flash_ReadWriteByte(0xFF); } while ((status 0x01) ! 0); SPI_Flash_CS_HIGH(); }擦除过程是芯片内部硬件行为CS一旦拉高Flash开始擦除BUSY位置1。擦除4KB扇区的典型耗时在45ms左右最大可能到400ms期间不能进行其他写操作只能查询状态。程序在擦除期间如果还需要做别的事可以在等待BUSY期间切出去执行其他任务等到需要访问Flash时再查询。4.3 页编程与跨页写入处理页编程是W25Q64最基本的写入方式命令0x02加上24位地址后面跟上最多256字节数据。页编程命令发出后同样要等待BUSY清零才算完成。这里有个最重要的坑页编程不能跨页。如果写入的数据长度跨过了一个256字节页边界数据会回卷到当前页的起始位置后续内容就会覆盖本页前面已经写入的数据造成整片数据错乱。这是W25Q64系列最经典的翻车点几乎所有质量事故都和它有关。先写页编程的基础函数void SPI_Flash_WritePage(uint8_t *buf, uint32_t addr, uint16_t len) { SPI_Flash_WriteEnable(); SPI_Flash_WaitBusy(); SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x02); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 16) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 8) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte(addr 0xFF); while (len 0) { SPI_Flash_ReadWriteByte(*buf); len--; } SPI_Flash_CS_HIGH(); SPI_Flash_WaitBusy(); }这个函数只能处理长度不超过当前页剩余空间的写入。实际应用写入的数据长度通常都是任意的可能从某个页的中间位置开始长度也可能超过256字节。所以必须做一个跨页自动分包的处理void SPI_Flash_WriteData(uint8_t *buf, uint32_t addr, uint16_t len) { uint16_t remaining len; uint16_t offset addr 0xFF; uint16_t chunk; // 第一页只能写当前页剩余空间 chunk 256 - offset; if (chunk remaining) chunk remaining; while (remaining 0) { SPI_Flash_WritePage(buf, addr, chunk); buf chunk; addr chunk; remaining - chunk; // 后续每次都从页开头写最多写满一页 chunk (remaining 256) ? 256 : remaining; } }这个函数先用addr 0xFF取地址的低8位算出现在已经写入到了当前页的哪个偏移位置然后用256 - offset算出当前页还剩多少个有效字节空间第一次写入不能超过这个值。之后每一轮都从新地址的页首开始一次最多写256字节。这套逻辑在实际项目中可以直接抄作业。写使能命令要放在每次页编程之前不能在循环外只发一次。因为一次页编程完成后,WEL位会自动清零下一次编程前必须重新使能。有些初学者图省事只在循环前执行一次写使能结果就是只有第一页写成功后面的页全部无效。4.4 数据读取与校验读取数据相比写入要简单得多因为读操作不会改变Flash内部状态不需要写使能也不涉及擦除。只要CS拉低发送0x03命令和24位地址然后持续读字节直到长度满足要求。void SPI_Flash_ReadData(uint8_t *buf, uint32_t addr, uint16_t len) { SPI_Flash_CS_LOW(); SPI_Flash_ReadWriteByte(0x03); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 16) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte((addr 8) 0xFF); SPI_Flash_ReadWriteByte(addr 0xFF); while (len 0) { *buf SPI_Flash_ReadWriteByte(0xFF); len--; } SPI_Flash_CS_HIGH(); }读取命令0x03支持连续读取也就是不需要每个字节都重复发送地址芯片会自动递增地址直到CS拉高为止。这个特性在大数据块读取时特别好用读取整个8MB内容也不过是8MB字节流速度取决于SPI时钟频率。完整跑通读写之后不要忘了做数据回读校验。工程上比较稳妥的做法是先擦除一个扇区写入一组已知模式数据比如递增数读回来逐字节比对全部一致才算这个读写链路真正没问题。我通常还会专门测试跨页边界的情况比如从地址0x0100开始写300字节验证跨页分包是否正确。5. 调试实录那些年踩过的坑5.1 读ID全FF问题排查第一次上电调试最常遇到的现象就是读ID返回0xFFFFFF。这背后至少有六种可能得一条条排查。网络表线序问题占了大头MOSI和MISO接反、CS压根没接到PA4、SCK短路这类错误万用表量一下就能排除。GPIO配置错误也很好查PA5和PA7忘了配成复用推挽输出不了时钟和数据PA6配置成推挽输出而不是输入MISO数据永远读不到0和1以外的东西。SPI模式不匹配也经常发生主机配置CPOL0、CPHA0从机工作在模式3时序完全对不上Flash不会响应。时钟极性和相位这两项务必和芯片手册确认清楚W25Q64支持模式0和模式3但我见过好几个项目两边各写各的一个模式0一个模式3结果读出来的数据全是0xFF。软件流程问题同样要排查发送0x9F之前没把CS拉低或者命令发完后提前把CS拉高都会导致ID读不出来。这种情况逻辑分析仪一抓波形问题立刻清楚。5.2 数据错乱背后的教训数据回读时发现写入和读取不一致首先要确认是不是没擦除就开始写。NOR Flash的特性决定了如果一个地址之前被写入过0那么在没有擦除的情况下再次写入是无法把它变成1的。向一个未擦除的扇区写入数据读回来的内容会是你期望值和旧值的“与”运算结果各种不重样的错乱。还有一个隐蔽的坑页编程跨页。很多开发者第一次写的页编程函数直接按地址连续写长度超过页边界后数据会绕回到当前页首地址覆盖之前的数据。这种情况读出来的表现是前半段正确、后半段错乱或者中间一段数据被莫名覆盖完全看不出来是哪里写错了。用我们上面那个分包函数跨页问题才真正从根上解决。再一个容易犯的错是把0x06写使能命令当成一次性操作。写使能WEL位会在每次页编程、擦除完成后自动清零所以每次写入操作前都要重新发送0x06。如果你在连续写入多个扇区时只在最开始发了一次写使能会发现只有第一次写操作生效后面所有擦除和编程都被静默忽略。5.3 性能实测数据实际测试中SPI时钟设为9MHz读取速度大约800KB/s左右。没有跑满理论值的950KB/s主要损耗在每个字节收发时的标志位轮询和函数调用开销。如果项目有大数据量读取需求可以考虑把SPI时钟提升到18MHz并启用DMA传输速度可以再上一个台阶。写入侧的性能瓶颈不在SPI时钟而在Flash内部操作时间。页编程典型耗时0.7ms一页1MB数据按纯页编程算大约需要3秒再加上必须先做的扇区擦除一个4KB扇区典型耗时45ms擦除1MB需要256个扇区也就是大约11.5秒。如果做全片擦除W25Q64JV需要的时间在几十秒量级所以整片擦除操作要慎用最好只在产品初始化时执行一次。操作典型耗时备注读1MB数据约1.2秒9MHz SPI时钟无DMA写1MB数据约3秒纯页编程不含擦除擦除1MB约11.5秒按4KB扇区擦除典型值整片擦除几十秒按8MB整片擦除5.4 常见问题速查表故障现象可能原因排查方向读ID返回0xFFFFFF接线/方向/SPI模式错查线序、查GPIO复用、核对CPOL/CPHA读ID返回0x00开头MISO引脚没有信号检查MISO引脚焊接、配置是否输入写数据后读出全0xFF未擦除或写使能没生效执行扇区擦除后再写确认WEL为1数据读到一半多出0xFF实际读的长度超预期检查读取长度的uint16_t溢出或参数传递错误偶发写入失败SPI时钟干扰或上电时序降SPI时钟频率检查电源纹波芯片有时不响应HOLD或WP浮空导致误触发外部接10kΩ上拉到3.3V跨地址写入数据错乱页编程跨页按页边界分包处理HOLD脚的问题我额外提一句如果芯片的HOLD引脚处于浮空状态在电磁环境复杂的工业现场一次静电放电或邻近信号干扰就可能把HOLD拉低Flash立刻暂停响应。现象极其诡异程序看起来一切正常但芯片就是不干活。解决办法很简单PCB布线时给HOLD接一个上拉电阻这是我在实际项目里真金白银买来的教训。6. 代码封装与工程集成建议当读写Flash的基础代码调试稳定之后建议再往前走一步做一层简单的“存储管理封装”。直接在应用逻辑里到处调用页编程和扇区擦除会让代码变得难以维护尤其是涉及多扇区规划、坏块替换、数据备份这类需求时。我个人的做法是在Flash驱动之上加一个简单的存储接口把“擦哪个扇区、写哪个地址、读哪段数据”的细节全部封装起来。应用层只需要关心逻辑存储区域比如配置区、日志区、数据区每个区映射到Flash的哪一段地址空间由驱动层统一管理。这样即使换了更大容量的Flash或者调整了地址分配应用层代码几乎不用改。一个值得推荐的小技巧是写入日志数据时使用“段内覆盖”策略日志只追加不覆盖旧数据写完一个扇区就切换到下一个扇区继续写。因为Flash的最小擦除单位是4KB如果每次都从头覆盖写磨损会非常不均匀。这个策略配合8MB容量日志区可以工作很多年。另外产品量产时千万别忽略擦写寿命。W25Q64JVSSIQ的擦写寿命大概是10万次看起来挺多但如果你在代码里写了一个每100ms保存一次数据的逻辑一天下来就是86万次写入一个月就把芯片写穿了。所以写入频率必须有意识控制数据相同则不写、批量变化才写、日志及时滚动删除这些策略比换更贵的芯片要实在得多。最后再分享一个调试习惯调Flash相关的问题不要光靠眼睛看代码几十块钱的逻辑分析仪买一个抓CS、CLK、MISO、MOSI四根线的波形对着时序图看。芯片不响应、数据错位、命令没发出去一眼就能定位。我每次新板子调试的第一件事就是抓一遍读ID的波形确认时钟极性、整体时序、字节顺序完全符合预期后面写应用代码心里特别踏实。这套流程跑通之后W25Q64JVSSIQ在手就跟捏方便面一样简单。

STM32硬件SPI读写W25Q64JVSSIQ嵌入式存储实践

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